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1N6273A

更新时间: 2024-02-13 15:24:55
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美高森美 - MICROSEMI /
页数 文件大小 规格书
2页 123K
描述
TRANSIENT ABSORPTION ZENER

1N6273A 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:DO-201AE
包装说明:PLASTIC PACKAGE-2针数:2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.46
其他特性:UL RECOGNIZED, EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY最大击穿电压:13.2 V
最小击穿电压:10.8 V外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJEDEC-95代码:DO-201AE
JESD-30 代码:O-PALF-W2JESD-609代码:e3
最大非重复峰值反向功率耗散:1500 W元件数量:1
端子数量:2封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:BIDIRECTIONAL
最大功率耗散:5 W认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:9.72 V表面贴装:NO
技术:AVALANCHE端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED

1N6273A 数据手册

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