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1N6163US

更新时间： 2024-12-01 05:57:43
品牌 Logo 应用领域
商升特 - SEMTECH 瞬态抑制器二极管
页数 文件大小 规格书
4页 119K
描述
1500W Bipolar Transient Voltage Suppressor Surface Mount (US)

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1N6163US 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active包装说明：O-XELF-N2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
Factory Lead Time：17 weeks风险等级：5.34
Is Samacsys：N最小击穿电压：67.5 V
击穿电压标称值：67.5 V外壳连接：ISOLATED
最大钳位电压：108.1 V配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码：O-XELF-N2JESD-609代码：e0
最大非重复峰值反向功率耗散：1500 W元件数量：1
端子数量：2封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性：UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：7.5 W认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：56 V子类别：Transient Suppressors
表面贴装：YES技术：ZENER
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：NO LEAD
端子位置：END处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

1N6163US 数据手册

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1N6138US thru 1N6173US  
1N6139AUS thru 1N6173AUS  
1500W Bipolar Transient Voltage Suppressor Surface Mount (US)  
POWER DISCRETES  
Description  
Features  
Quick reference data  
‹ Low dynamic impedance  
‹ Hermetically sealed non-cavity construction  
‹ 1500 watt peak pulse power  
‹ 7.5W continuous  
VBR MIN = 6.12 -180V  
VRWM = 5.2 - 152V  
VC (max) = 11 - 273V  
I(BR) 1N6138 - 1N6173 = 5mA - 175mA  
These products are qualified to MIL-PRF-19500/516  
and are preferred parts as listed in MIL-HDBK-5961.  
They can be supplied fully released as JANTX and  
JANTXV versions.  
Electrical Specifications  
Electrical specifications @ TA = 25°C unless otherwise specified.  
Device  
Type  
Minimum  
Test  
Working  
Maximum Maximum Maximum  
Temp.  
Coeff. of  
V(BR)  
Maximum  
Reverse  
Breakdown Current Pk. Reverse Reverse  
Clamping Pk. Pulse  
Voltage  
I(BR)  
Voltage  
VRWM  
Current  
IR1  
Voltage  
VC @ IP  
Current IP  
TP = 1mS  
Current  
V
(BR) @ I(BR)  
α
IR2 @ 150°C  
(VZ)  
Volts  
mA  
Volts  
5.2  
µA  
Volts  
11.0  
Amps  
136.4  
%/°C  
0.05  
µA  
1N6138  
6.12  
175  
500  
12,000  
1N6139  
1N6139A  
1N6140  
1N6140A  
1N6141  
1N6141A  
1N6142  
1N6142A  
1N6143  
1N6143A  
1N6144  
1N6144A  
1N6145  
1N6145A  
1N6146  
1N6146A  
1N6147  
1N6147A  
6.75  
7.13  
7.38  
7.79  
8.19  
8.65  
9.0  
175  
175  
150  
150  
150  
150  
125  
125  
125  
125  
100  
100  
100  
100  
75  
5.7  
5.7  
6.2  
6.2  
6.9  
6.9  
7.6  
7.6  
8.4  
8.4  
9.1  
9.1  
9.9  
9.9  
11.4  
11.4  
12.2  
12.2  
300  
300  
100  
100  
100  
100  
100  
100  
20  
11.8  
11.2  
12.7  
12.1  
14.0  
13.4  
15.2  
14.5  
16.3  
15.6  
17.7  
16.9  
19.0  
18.2  
21.9  
21.0  
23.4  
22.3  
127.1  
133.9  
118.1  
124.0  
107.1  
111.9  
98.7  
0.06  
0.06  
0.06  
0.06  
0.06  
0.06  
0.07  
0.07  
0.07  
0.07  
0.07  
0.07  
0.08  
0.08  
0.08  
0.08  
0.08  
0.08  
3,000  
3,000  
2,000  
2,000  
1,200  
1,200  
800  
9.5  
103.4  
92.0  
800  
9.9  
800  
10.45  
10.8  
11.4  
11.7  
12.35  
13.5  
14.25  
14.4  
15.2  
20  
96.2  
800  
20  
84.7  
600  
20  
88.8  
600  
20  
78.9  
600  
20  
82.4  
600  
20  
68.5  
400  
75  
20  
71.4  
400  
75  
20  
64.1  
400  
75  
20  
67.3  
400  
Revision: May 3, 2006  
1
www.semtech.com  
1234

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与1N6163US相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1N6163USE3 MICROSEMI

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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 56V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, MELF
1N6163USS SENSITRON

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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, Unidirectional, 1 Element, Silicon,
1N6163USV SENSITRON

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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, Unidirectional, 1 Element, Silicon,
1N6163USX SENSITRON

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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, Unidirectional, 1 Element, Silicon,
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 		1500W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, GLASS, CB-432, 2 PIN
1N6164 NJSEMI

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 		Diode TVS Single Bi-Dir 62.2V 1.5KW 2-Pin

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