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1N6137

更新时间: 2024-02-16 10:57:31
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美高森美 - MICROSEMI 瞬态抑制器二极管
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2页 109K
描述
BIDIRECTIONAL TRANSIENT SUPPRESSORS

1N6137 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Active包装说明:O-LELF-R2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.73
Is Samacsys:N最小击穿电压:180 V
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码:O-LELF-R2最大非重复峰值反向功率耗散:500 W
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:2 W
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
技术:AVALANCHE端子形式:WRAP AROUND
端子位置:END处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

1N6137 数据手册

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