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1N60AG-A-T92-B

更新时间： 2024-02-10 03:26:55

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友顺 - UTC		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	199K
描述
Power Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 600V, 15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-92, HALOGEN FREE PACKAGE-3

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1N60AG-A-T92-B 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-92	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.57
雪崩能效等级（Eas）：	50 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	600 V	最大漏极电流 (ID)：	0.5 A
最大漏源导通电阻：	15 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	2 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

1N60AG-A-T92-B 数据手册

1N60A

Power MOSFET

TYPICAL CHARACTERISTICS

Transfer Characteristics

Output Characteristics

V_GS

Top: 15.0V

V_DS=50V

250μs Pulse Test

10.0V

8.0V

10⁰

7.0V

4.5V

6.0V

5.5V

10⁰

Bottorm:4.5V

10^-1

250μs Pulse Test

T_C=25°C

10^-1

10¹

10⁰

1.6

Drain-Source Voltage, V_DS(V)

Gate-Source Voltage, V_GS(V)

On-Resistance vs. Drain Current

TJ=25°C

Source- Drain Diode Forward Voltage

V_GS=0V

250μs Pulse Test

V_GS=10V

V_GS=20V

10⁰

10^-1

1.5

Drain Current, I_D(A)

0.2 0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

0.0

1.0

2.0

2.5

0.5

Source-Drain Voltage, V_SD(V)

Capacitance vs. Drain-Source Voltage

Gate Charge vs. Gate-Source Voltage

V_DS=480V

200

150

C_ISS=C_GS+C_GD

(C_DS=shorted)

C_OSS=C_DS+C_GD

C_RSS=C_GD

C_ISS

V_DS=300V

V_DS=120V

C_OSS

100

C_RSS

V_GS=0V

f = 1MHz

I_D=1.0A

10^-1

10⁰

10¹

Drain-SourceVoltage, V_DS(V)

Total Gate Charge, Q_G(nC)

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD

6 of 8

QW-R502-091,E

www.unisonic.com.tw

1...3 4 567 8

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与1N60AG-A-T92-B相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
1N60AG-A-T92-K	UTC	Power Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 600V, 15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta	获取价格
1N60AG-B-T92-B	UTC	Power Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 650V, 15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta	获取价格
1N60AG-B-T92-K	UTC	Power Field-Effect Transistor, 0.5A I(D), 650V, 15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta	获取价格
1N60AG-T92-B	UTC	0.5A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET	获取价格
1N60AG-T92-K	UTC	0.5A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET	获取价格
1N60AG-TM3-T	UTC	Power Field-Effect Transistor	获取价格