1N6062

更新时间： 2024-11-08 22:37:43

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		/
页数	文件大小	规格书
2页	111K
描述
BIDIRECTIONAL TRANSIENT ABSORPTION ZENER

阅读下载

中文翻译

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

1N6062 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DO-13
包装说明：	O-MALF-W2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.5
最大击穿电压：	100 V	最小击穿电压：	81.9 V
击穿电压标称值：	91 V	外壳连接：	ISOLATED
最大钳位电压：	131 V	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码：	DO-202AA	JESD-30 代码：	O-MALF-W2
JESD-609代码：	e0	最大非重复峰值反向功率耗散：	1500 W
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性：	BIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	1 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	73 V
子类别：	Transient Suppressors	表面贴装：	NO
技术：	AVALANCHE	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

中文翻译

下载PDF

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
1N6062A	LITTELFUSE	获取价格	Silicon Avalanche Diodes - 1500 Watt Metal Axial Leaded Transient Voltage Suppressors
1N6062A	PROTEC	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, Bidirectional, 1 Element, Silicon
1N6062A	STMICROELECTRONICS	获取价格	1500W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-13, METAL PACKAGE-2
1N6062A	NJSEMI	获取价格	Diode TVS Single Bi-Dir 75V 1.5KW 2-Pin DO-13
1N6062A	MICROSEMI	获取价格	BIDIRECTIONAL TRANSIENT ABSORPTION ZENER
1N6062AB	CRYDOM	获取价格	暂无描述
1N6062AB	LITTELFUSE	获取价格	暂无描述
1N6062ACOX.120	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 75V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon,
1N6062ACOX.200	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 75V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon,
1N6062AE3	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 75V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2