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1N6052AE3

更新时间: 2024-11-24 20:50:59
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
6页 205K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 30V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-202AA, HERMETIC SEALED, METAL GLASS, DO-13, 2 PIN

1N6052AE3 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Active
包装说明:O-MALF-W2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.39Is Samacsys:N
最大击穿电压:37.8 V最小击穿电压:34.2 V
击穿电压标称值:36 V外壳连接:ISOLATED
最大钳位电压:49.9 V配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码:DO-202AAJESD-30 代码:O-MALF-W2
最大非重复峰值反向功率耗散:1500 W元件数量:1
端子数量:2封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
极性:BIDIRECTIONAL最大功率耗散:1 W
最大重复峰值反向电压:30 V子类别:Transient Suppressors
表面贴装:NO技术:AVALANCHE
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
Base Number Matches:1

1N6052AE3 数据手册

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