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1N6047

更新时间: 2024-11-19 22:37:43
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美高森美 - MICROSEMI 二极管局域网
页数 文件大小 规格书
2页 111K
描述
BIDIRECTIONAL TRANSIENT ABSORPTION ZENER

1N6047 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Transferred零件包装代码:DO-13
包装说明:HERMETIC SEALED, METAL GLASS, DO-13, 2 PIN针数:2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.57
最大击穿电压:24.2 V最小击穿电压:19.8 V
击穿电压标称值:22 V外壳连接:ISOLATED
最大钳位电压:31.9 V配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码:DO-202AAJESD-30 代码:O-MALF-W2
JESD-609代码:e0最大非重复峰值反向功率耗散:1500 W
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:BIDIRECTIONAL最大功率耗散:1 W
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:17 V
子类别:Transient Suppressors表面贴装:NO
技术:AVALANCHE端子面层:TIN LEAD
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED

1N6047 数据手册

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1N6047 替代型号

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