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1N5986B

更新时间: 2024-01-02 16:18:30
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罗彻斯特 - ROCHESTER 测试二极管
页数 文件大小 规格书
6页 832K
描述
2.7V, 0.5W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35, GLASS PACKAGE-2

1N5986B 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active包装说明:O-PALF-W2
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.11
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
最大动态阻抗:100 Ω最大正向电压 (VF):1.5 V
JEDEC-95代码:DO-35JESD-30 代码:O-PALF-W2
JESD-609代码:e0膝阻抗最大值:1900 Ω
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:200 °C最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.5 W
认证状态:Not Qualified标称参考电压:2.7 V
最大反向电流:75 µA反向测试电压:1 V
子类别:Voltage Reference Diodes表面贴装:NO
技术:ZENER端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED最大电压容差:5%
工作测试电流:5 mABase Number Matches:1

1N5986B 数据手册

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