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1N5985D

更新时间： 2024-01-12 23:05:22

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美微科 - MCC		测试二极管
页数	文件大小	规格书
3页	76K
描述
Zener Diode, 2.4V V(Z), 1%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, DO-35, 2 PIN

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1N5985D 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	O-LALF-W2	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.59	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	ZENER DIODE	最大动态阻抗：	100 Ω
JEDEC-95代码：	DO-204AH	JESD-30 代码：	O-LALF-W2
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	200 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	GLASS
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	0.5 W	认证状态：	Not Qualified
标称参考电压：	2.4 V	子类别：	Voltage Reference Diodes
表面贴装：	NO	技术：	ZENER
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
最大电压容差：	1%	工作测试电流：	5 mA

1N5985D 数据手册

1N5985B

THRU

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

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Micro Commercial Components

1N6016B

Features

500 mW

 High Reliability

 Very Sharp Reverse Characteristic

 V_Z– tolerance ꢀ5

Zener Diode

2.4 – 47Volts

•

Marking : Cathode band and type number

Maximum Ratings

 Operating Temperature: -6ꢀ to +200

 Storage Temperature: -6ꢀ to +200

DO-35

 DC Power Dissipation: ꢀ00mW

 Maximum Thermal Resistance: 300K/W Junction to Ambient

 Test Conditions: I = 9.ꢀmm(3/8”) T_L= constant

 Forward voltage @ 100mA: 1.ꢀV

Figure 1 Capacitance vs. Vz Curve

100

Cathode

Mark

At zero volt

At-2volts(V_R)

100

200

Zener Voltage Vz

Figure 2 - Derating Curve

500

DIMENSIONS

400

INCHES

MIN

---

MIN

---

25.40

DIM

MAX

.175

.079

.020

---

MAX

4.2

2.00

.52

NOTE

mW 300

1.000

---

200

100

ꢀ0

100

1ꢀ0

200

TL Lead Temperatrue C

www.mccsemi.com

Revision: 6

2007/02/27

1 of 3

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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