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1N5945APTR

更新时间: 2024-02-12 15:30:54
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美高森美 - MICROSEMI 二极管测试
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3页 93K
描述
Zener Diode,

1N5945APTR 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:O-XALF-W2Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.61配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
最大动态阻抗:120 Ω最大正向电压 (VF):1.2 V
JEDEC-95代码:DO-41JESD-30 代码:O-XALF-W2
膝阻抗最大值:1700 Ω元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-65 °C封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:1.5 W标称参考电压:68 V
最大反向电流:1 µA反向测试电压:51.2 V
表面贴装:NO技术:ZENER
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED最大电压容差:1%
工作测试电流:5.5 mABase Number Matches:1

1N5945APTR 数据手册

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