5秒后页面跳转
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N5936DGTR | MICROSEMI |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| 1N5936DTRPBFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Zener Diode, 30V V(Z), 1%, 1.5W, |
|
| 1N5936DUR-1TR | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 30V V(Z), 1%, 1.25W, Silicon, Unidirectional, DO-213AB, HERMETIC SEALED, GLAS |
|
| 1N5936E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 30V V(Z), 20%, 1.5W, Silicon, Unidirectional, DO-41, |
|
| 1N5936P | MCC |
获取价格 |
DIODE 30 V, 1.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41, GLASS, DO-41G, |
|
| 1N5936P | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, |
|
| 1N5936PTR | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, |
|
| 1N5936UR-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 30V V(Z), 20%, 1.25W, Silicon, Unidirectional, DO-213AB, HERMETIC SEALED, GLA |
|
| 1N5936UR-1E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 30V V(Z), 20%, 1.25W, Silicon, Unidirectional, DO-213AB, HERMETIC SEALED, GLA |
|
| 1N5936UR-1TR | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 30V V(Z), 20%, 1.25W, Silicon, Unidirectional, DO-213AB, HERMETIC SEALED, GLA |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
数据手册
如果您发现信息不准确，
