5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DO-41 |
| 包装说明： | O-PALF-W2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.59 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | ZENER DIODE | JEDEC-95代码： | DO-41 |
| JESD-30 代码： | O-PALF-W2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | NOT SPECIFIED | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性： | UNIDIRECTIONAL |
| 最大功率耗散： | 1 W | 认证状态： | COMMERCIAL |
| 标称参考电压： | 30 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | ZENER | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 最大电压容差： | 5% |
| 工作测试电流： | 12.5 mA | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N5936BRLG | TAITRON |
获取价格 |
3 W DO−41 Surmetic TM 30 Zener Voltage Regulators |
|
| 1N5936BRLG | ROCHESTER |
获取价格 |
30 V, 1 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41, LEAD FREE, PLASTIC, CAS |
|
| 1N5936B-T3-LF | WTE |
获取价格 |
Zener Diode |
|
| 1N5936BTA | TAITRON |
获取价格 |
ZENER DIODE,SINGLE, TWO TERMINAL,30V V(Z),5%,DO-41 |
|
| 1N5936BUR-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
METALLURGICALLY BONDED GLASS SURFACE MOUNT 1.5 WATT ZENERS |
|
| 1N5936BUR-1A | MICROSEMI |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| 1N5936BUR-1ATR | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 30V V(Z), 10%, 1.25W, Silicon, Unidirectional, DO-213AB, HERMETIC SEALED, GLA |
|
| 1N5936BUR-1B | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 30V V(Z), 5%, 1.25W, Silicon, Unidirectional, DO-213AB, HERMETIC SEALED, GLAS |
|
| 1N5936BUR-1BTR | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 30V V(Z), 5%, 1.25W, Silicon, Unidirectional, DO-213AB, HERMETIC SEALED, GLAS |
|
| 1N5936BUR-1C | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 30V V(Z), 2%, 1.25W, Silicon, Unidirectional, DO-213AB, HERMETIC SEALED, GLAS |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
