是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | DO-213AB |
包装说明: | O-LELF-R2 | 针数: | 2 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.50 | 风险等级: | 5.68 |
Is Samacsys: | N | 其他特性: | METALLURGICALLY BONDED, HIGH RELIABILITY |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | ZENER DIODE |
JEDEC-95代码: | DO-213AB | JESD-30 代码: | O-LELF-R2 |
JESD-609代码: | e0 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 175 °C |
最低工作温度: | -65 °C | 封装主体材料: | GLASS |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | LONG FORM |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性: | UNIDIRECTIONAL |
最大功率耗散: | 1.25 W | 标称参考电压: | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | ZENER |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | WRAP AROUND |
端子位置: | END | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
最大电压容差: | 1% | 工作测试电流: | 113.6 mA |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
1N5913DUR-1E3 | MICROSEMI |
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Zener Diode | |
1N5913DUR-1TR | MICROSEMI |
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Zener Diode, 3.3V V(Z), 1%, 1.25W, Silicon, Unidirectional, DO-213AB, HERMETIC SEALED, GLA | |
1N5913E3 | MICROSEMI |
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Zener Diode, 3.3V V(Z), 20%, 1.5W, Silicon, Unidirectional, DO-41, GLASS, DO-41G, 2 PIN | |
1N5913GE3 | MICROSEMI |
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Zener Diode, 3.3V V(Z), 20%, 1.5W, Silicon, Unidirectional, DO-204AL, HERMETIC SEALED, GLA | |
1N5913GTR | MICROSEMI |
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Zener Diode, 3.3V V(Z), 20%, 1.5W, Silicon, Unidirectional, DO-204AL, HERMETIC SEALED, GLA | |
1N5913P | MICROSEMI |
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Zener Diode, | |
1N5913UR-1 | MICROSEMI |
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Zener Diode, 3.3V V(Z), 20%, 1.25W, Silicon, Unidirectional, DO-213AB, HERMETIC SEALED, GL | |
1N5913UR-1TR | MICROSEMI |
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Zener Diode, 3.3V V(Z), 20%, 1.25W, Silicon, Unidirectional, DO-213AB, HERMETIC SEALED, GL | |
1N5914 | MICROSEMI |
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SILICON 1.5 WATT ZENER DIODES | |
1N5914 | NJSEMI |
获取价格 |
SILICON 1.5 WATT ZENER DIODES |