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1N5913DUR-1

更新时间: 2024-11-20 20:49:11
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美高森美 - MICROSEMI 测试二极管
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5页 293K
描述
Zener Diode

1N5913DUR-1 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Active零件包装代码:DO-213AB
包装说明:O-LELF-R2针数:2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.68
Is Samacsys:N其他特性:METALLURGICALLY BONDED, HIGH RELIABILITY
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
JEDEC-95代码:DO-213ABJESD-30 代码:O-LELF-R2
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-65 °C封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:1.25 W标称参考电压:3.3 V
表面贴装:YES技术:ZENER
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:WRAP AROUND
端子位置:END处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
最大电压容差:1%工作测试电流:113.6 mA
Base Number Matches:1

1N5913DUR-1 数据手册

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