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1N5742B

更新时间: 2024-11-22 22:37:39
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美高森美 - MICROSEMI 二极管齐纳二极管
页数 文件大小 规格书
2页 58K
描述
SILICON 400MW ZENER DIODES

1N5742B 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Active
零件包装代码:DO-35包装说明:O-LALF-W2
针数:2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.23外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODE最大动态阻抗:45 Ω
JEDEC-95代码:DO-204AHJESD-30 代码:O-LALF-W2
JESD-609代码:e0湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:200 °C最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.48 W
认证状态:Not Qualified标称参考电压:18 V
最大反向电流:0.1 µA子类别:Voltage Reference Diodes
表面贴装:NO技术:ZENER
端子面层:TIN LEAD端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
电压温度Coeff-Max:15 mV/ °C最大电压容差:5%
工作测试电流:5 mABase Number Matches:1

1N5742B 数据手册

 浏览型号1N5742B的Datasheet PDF文件第2页 

1N5742B 替代型号

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