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1N5705

更新时间： 2024-02-10 19:27:07
品牌 Logo 应用领域
KNOX 二极管变容二极管测试
页数 文件大小 规格书
1页 41K
描述
GENERAL PURPOSE ABRUPT VARACTOR DIODES

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1N5705 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：DIE-1
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.40风险等级：5.7
Is Samacsys：N最小击穿电压：65 V
配置：SINGLE二极管电容容差：20%
最小二极管电容比：3.2标称二极管电容：39 pF
二极管元件材料：SILICON二极管类型：VARIABLE CAPACITANCE DIODE
JESD-30 代码：X-XUUC-N湿度敏感等级：NOT SPECIFIED
元件数量：1封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：UNSPECIFIED封装形式：UNCASED CHIP
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最小质量因数：325表面贴装：YES
端子形式：NO LEAD端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

1N5705 数据手册

  
GENERAL PURPOSE ABRUPT VARACTOR DIODES  
1N5681 TO 1N5709  
PART  
NUMBER  
CAPACITANCE MIN QUALITY FACTOR  
CAPACITANCE RATIO  
MAX WORKING  
VOLTAGE  
(Vdc)  
MIN REVERSE  
BREAKDOWN VOLTAGE  
Ir = 10µA (Vdc)  
@ 4Vdc  
@ 4Vdc  
2V / 40V  
4V / 60V  
1 MHz (pF)  
F = 50 MHz  
MIN TYP  
MIN TYP  
1N5681  
1N5682  
6.8  
8.2  
600  
600  
3.1 3.3  
3.1 3.3  
40  
40  
45  
45  
1N5683  
1N5684  
10.0  
12.0  
550  
550  
3.2 3.4  
3.2 3.4  
40  
40  
45  
45  
1N5685  
1N5686  
15.0  
18.0  
550  
500  
3.2 3.4  
3.2 3.4  
40  
40  
45  
45  
1N5687  
1N5688  
22.0  
27.0  
500  
500  
3.3 3.5  
3.3 3.5  
40  
40  
45  
45  
1N5689  
1N5690  
33.0  
39.0  
500  
450  
3.3 3.5  
3.3 3.5  
40  
40  
45  
45  
1N5691  
1N5692  
47.0  
56.0  
400  
300  
3.3 3.5  
3.3 3.5  
40  
40  
45  
45  
1N5693  
1N5694  
68.0  
82.0  
250  
225  
3.3 3.5  
3.3 3.5  
40  
40  
45  
45  
1N5695  
100.0  
200  
3.3 3.5  
40  
45  
1N5696  
1N5697  
6.8  
8.2  
450  
450  
2.7  
2.7  
2.9  
2.9  
60  
60  
65  
65  
1N5698  
1N5699  
10.0  
12.0  
400  
400  
2.8  
2.8  
3.0  
3.0  
60  
60  
65  
65  
1N5700  
1N5701  
15.0  
18.0  
400  
375  
2.8  
2.8  
3.0  
3.0  
60  
60  
65  
65  
1N5702  
1N5703  
22.0  
27.0  
375  
350  
3.2  
3.2  
3.4  
3.4  
60  
60  
65  
65  
1N5704  
1N5705  
33.0  
39.0  
350  
325  
3.2  
3.2  
3.4  
3.4  
60  
60  
65  
65  
1N5706  
1N5707  
47.0  
56.0  
300  
225  
3.2  
3.2  
3.4  
3.4  
60  
60  
65  
65  
1N5708  
1N5709  
68.0  
82.0  
175  
150  
3.2  
3.2  
3.4  
3.4  
60  
60  
65  
65  
Package Style  
DO-7  
DC Power Dissipation  
400 mW  
Max Reverse Current (IR)  
Max Reverse Current (IR2)  
Operating Temperature (Topr)  
Storage Temperature (Tstg)  
Capacitance Tolerance:  
@ Ta = 25°C  
@ Ta = 150°C  
20 nA @ MWV  
20 µA @ MWV  
-65 to + 175°C  
-65 to + 200°C  
±20%  
Standard Device  
Suffix A  
±10%  
Suffix B  
±5%  
P.O. BOX 609 · ROCKPORT, MAINE 04856 · 207-236-6076 · FAX 207-236-9558  
1

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