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1N5665

更新时间: 2024-11-27 20:24:51
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PROTEC /
页数 文件大小 规格书
2页 154K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 162V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon

1N5665 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:O-MALF-W2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.62Is Samacsys:N
其他特性:LOW IMPEDANCE最大击穿电压:220 V
最小击穿电压:180 V外壳连接:CATHODE
最大钳位电压:287 V配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码:O-MALF-W2JESD-609代码:e0
最大非重复峰值反向功率耗散:1500 W元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-65 °C封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):245极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:1 W认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:162 V最大反向电流:5 µA
表面贴装:NO技术:AVALANCHE
端子面层:TIN LEAD端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

1N5665 数据手册

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