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| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
电视 |
| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 1页 | 56K |  |
| 描述 | ||
| 1500W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-13, METAL PACKAGE-2 | ||
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | METAL PACKAGE-2 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.50 |
| 风险等级： | 5.34 | 最大击穿电压： | 137 V |
| 最小击穿电压： | 124 V | 击穿电压标称值： | 130 V |
| 最大钳位电压： | 179 V | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
| JEDEC-95代码： | DO-13 | JESD-30 代码： | O-MALF-W2 |
| JESD-609代码： | e0 | 最大非重复峰值反向功率耗散： | 1500 W |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 极性： | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散： | 5 W |
| 最大重复峰值反向电压： | 111 V | 子类别： | Transient Suppressors |
| 表面贴装： | NO | 技术： | AVALANCHE |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N5660ATR | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 111V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO |
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| 1N5660B | CRYDOM |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 105V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon |
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| 1N5660COX.160 | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 111V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, |
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| 1N5660COX.200 | MICROSEMI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 111V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, |
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| 1N5660COX.250 | MICROSEMI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 111V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, |
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| 1N5661 | PROTEC |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 121V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon |
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| 1N5661 | MICROSEMI |
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TRANSIENT ABSORPTION ZENER |
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| 1N5661 | LITTELFUSE |
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Silicon Avalanche Diodes - 1500 Watt Metal Axial Leaded Transient Voltage Suppressors |
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| 1N5661 | NJSEMI |
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Diode TVS Single Uni-Dir 121V 1.5KW 2-Pin DO-13 |
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| 1N5661 | VISHAY |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 121V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, HE |
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