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1N5649

更新时间: 2024-11-28 20:19:35
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威世 - VISHAY 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
2页 154K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 38.1V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, HERMETIC SEALED, METAL GLASS, DO-13, 2 PIN

1N5649 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DO-13包装说明:O-MALF-W2
针数:2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.8Is Samacsys:N
最大击穿电压:51.7 V最小击穿电压:42.3 V
击穿电压标称值:47 V外壳连接:CATHODE
最大钳位电压:67.8 V配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码:O-MALF-W2JESD-609代码:e0
最大非重复峰值反向功率耗散:1500 W元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-65 °C封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:1 W认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:38.1 V最大反向电流:5 µA
子类别:Transient Suppressors表面贴装:NO
技术:AVALANCHE端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

1N5649 数据手册

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