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1N5639

更新时间: 2024-11-15 22:52:15
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美高森美 - MICROSEMI 瞬态抑制器二极管
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2页 118K
描述
TRANSIENT ABSORPTION ZENER

1N5639 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active零件包装代码:DO-13
包装说明:O-MALF-W2针数:2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.61
Is Samacsys:N最大击穿电压:19.8 V
最小击穿电压:16.2 V外壳连接:CATHODE
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJEDEC-95代码:DO-202AA
JESD-30 代码:O-MALF-W2JESD-609代码:e0
最大非重复峰值反向功率耗散:1500 W元件数量:1
端子数量:2封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:1 W认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:14.5 V表面贴装:NO
技术:AVALANCHE端子面层:TIN LEAD
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

1N5639 数据手册

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