1N5630

更新时间： 2024-02-11 04:39:22

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力特 - LITTELFUSE		瞬态抑制器二极管局域网
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描述
Silicon Avalanche Diodes - 1500 Watt Metal Axial Leaded Transient Voltage Suppressors

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1N5630 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DO-13
包装说明：	O-MALF-W2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.59
最大击穿电压：	8.25 V	最小击穿电压：	6.75 V
外壳连接：	CATHODE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码：	DO-202AA	JESD-30 代码：	O-MALF-W2
JESD-609代码：	e0	最大非重复峰值反向功率耗散：	1500 W
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	1 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	6.05 V
表面贴装：	NO	技术：	AVALANCHE
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

1N5630 数据手册

Silicon Avalanche Diodes

1500 Watt Metal Axial Leaded Transient Voltage Suppressors

1N56 Series

100

100%

Exponential wave-form

Square wave-pulse

50%

Permissable

area of

operation

0.1

0°C

5 °C

100°C

15 °C

200°C

100ns

1µs

10µs

100µs

1ms

10ms

Tamb °C

Pulse Time (tp)

Figure 1 - Peak Power Derating Curve

Figure 3 - Peak Pulse Power vs. Pulse Time

Peak pulse power in percent of 25ºC rating

20,000

10,000

1.0

Measured @

Zero Bias

6000

4000

2000

0.75

0.50

0.25

1000

800

600

400

200

Permissable

area of

Cj (pf)

operation

Measured at

Stand-Off

Voltage (V^R)

100

0°C

5 °C

100°C

15 °C

200°C

Tamb °C

1.0 2

510 20 05100 200

Figure 2 - Continuous D.C. Power Derating

CurveContinuous d.c. power dissipation

Reverse Voltage, Volts V(^BR)

Figure 4 - Typical Junction Capacitance

314

www. littelfuse. com

123 4

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