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1N5630A

更新时间: 2024-01-16 21:40:57
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威世 - VISHAY 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
2页 154K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 6.4V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, HERMETIC SEALED, METAL GLASS, DO-13, 2 PIN

1N5630A 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Active
包装说明:O-MALF-W2Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.82Is Samacsys:N
最大击穿电压:7.88 V最小击穿电压:7.13 V
击穿电压标称值:7.5 V外壳连接:CATHODE
最大钳位电压:11.3 V配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码:DO-13JESD-30 代码:O-MALF-W2
JESD-609代码:e0最大非重复峰值反向功率耗散:1500 W
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:1 W
最大重复峰值反向电压:6.4 V子类别:Transient Suppressors
表面贴装:NO技术:AVALANCHE
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:WIRE
端子位置:AXIALBase Number Matches:1

1N5630A 数据手册

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