5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DO-13 |
| 包装说明： | O-MALF-W2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.59 |
| 最大击穿电压： | 8.25 V | 最小击穿电压： | 6.75 V |
| 外壳连接： | CATHODE | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
| JEDEC-95代码： | DO-202AA | JESD-30 代码： | O-MALF-W2 |
| JESD-609代码： | e0 | 最大非重复峰值反向功率耗散： | 1500 W |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性： | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散： | 1 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 6.05 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | AVALANCHE |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 1N5630ACOX.120 | MICROSEMI | Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 6.4V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, |
获取价格 |
|
| 1N5630ACOX.160 | MICROSEMI | Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 6.4V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, |
获取价格 |
|
| 1N5630ACOX.200 | MICROSEMI | Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 6.4V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, |
获取价格 |
|
| 1N5630ACOX.250 | MICROSEMI | Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 6.4V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, |
获取价格 |
|
| 1N5630ATR | MICROSEMI | Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 6.4V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO |
获取价格 |
|
| 1N5630COX.120 | MICROSEMI | Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 6.4V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, |
获取价格 |
|
AO3401场效应管参数、引脚图、应用原理图
BT131可控硅参数及引脚图、工作原理详解
74LS32芯片参数、引脚图及功能真值表
全球首块英伟达H200交付 黄仁勋“送货上门”
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
