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1N5528D-1E3

更新时间: 2024-01-29 00:08:46
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美高森美 - MICROSEMI 测试二极管
页数 文件大小 规格书
5页 185K
描述
Zener Diode, 8.2V V(Z), 1%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, DO-7, 2 PIN

1N5528D-1E3 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
零件包装代码:DO-35包装说明:O-LALF-W2
针数:2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.6其他特性:METALLURGICALLY BONDED
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
JEDEC-95代码:DO-204AHJESD-30 代码:O-LALF-W2
JESD-609代码:e3元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-65 °C封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.5 W标称参考电压:8.2 V
表面贴装:NO技术:ZENER
端子面层:MATTE TIN端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
最大电压容差:1%工作测试电流:1 mA
Base Number Matches:1

1N5528D-1E3 数据手册

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