1N5391S-T

更新时间： 2024-11-25 13:03:35

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美台 - DIODES		二极管
页数	文件大小	规格书
2页	61K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 50V V(RRM), Silicon, DO-41, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2

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1N5391S-T 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DO-41	包装说明：	ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2
针数：	2	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.16	应用：	EFFICIENCY
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：	DO-41	JESD-30 代码：	O-PALF-W2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
最大非重复峰值正向电流：	50 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最大输出电流：	1.5 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	50 V	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
Base Number Matches：	1

1N5391S-T 数据手册

1N5391/S - 1N5399/S

1.5A RECTIFIER

Features

Diffused Junction

Fast Switching for High Efficiency

High Current Capability and Low Forward

Voltage Drop

Low Reverse Leakage Current

Surge Overload Rating to 50A Peak

Plastic Material - UL Flammability

Classification Rating 94V-0

DO-41 Plastic

DO-15

Mechanical Data

Dim

Min

25.40

4.06

0.71

2.00

Max

Min

Max

25.40

5.50

Case: Molded Plastic

Terminals: Plated Leads Solderable per

MIL-STD-202, Method 208

5.21

0.864

2.72

7.62

0.889

3.60

0.686

2.60

Polarity: Cathode Band

Weight: DO-41 0.30 grams (approx.)

All Dimensions in mm

DO-15 0.40 grams (approx.)

Mounting Position: Any

Marking: Type Number

“S” Suffix Designates DO-41 Package

No Suffix Designates DO-15 Package

@ T_A= 25°C unless otherwise specified

Maximum Ratings and Electrical Characteristics

Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%.

Characteristic

Symbol

Unit

5391/S 5392/S 5393/S 5395/S 5397/S 5398/S 5399/S

V_RRM

V_RWM

V_R

Peak Repetitive Reverse Voltage

Working Peak Reverse Voltage

DC Blocking Voltage

100

200

140

400

600

420

800

560

1000

700

V_R(RMS)

I_O

RMS Reverse Voltage

280

1.5

Average Rectified Output Current

(Note 1)

@ T_A= 70°C

Non-Repetitive Peak Forward Surge Current 8.3ms

single half sine-wave superimposed on rated load

(JEDEC Method)

I_FSM

Forward Voltage Drop

@ I_F= 1.5A

V_FM

I_RM

1.1

5.0

Peak Reverse Leakage Current

at Rated DC Blocking Voltage

@ T_A25°C

@ T_A= 100°C

C_j

Typical Junction Capacitance (Note 2)

K/W

°C

R_qJL

Typical Thermal Resistance Junction to Lead

R_qJA

Typical Thermal Resistance Junction to Ambient (Note 1)

Operating and Storage Temperature Range

T_j,T_STG

-65 to +150

Notes:

1. Leads maintained at ambient temperature at a distance of 9.5mm from the case.

2. Measured at 1.0 MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0V DC.

DS28003 Rev. D-2

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1N5391/S-1N5399/S

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与1N5391S-T相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
1N5391-T/R	FRONTIER	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, Silicon,
1N5391-T3	WTE	获取价格	1.5A SILICON RECTIFIER
1N5391-TB	WTE	获取价格	1.5A SILICON RECTIFIER
1N5391-TB-LF	WTE	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 50V V(RRM), Silicon, DO-15, ROHS COMPLIANT, PLA
1N5391U11	RECTRON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 50V V(RRM), Silicon, DO-15,
1N5391U12	RECTRON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 50V V(RRM), Silicon, DO-15,
1N5392	GOOD-ARK	获取价格	GENERAL PURPOSE PLASTIC RECTIFIER
1N5392	PINGWEI	获取价格	TECHNICAL SPECIFICATIONS OF SILICON RECTIFIER
1N5392	SYNSEMI	获取价格	SILICON RECTIFIERDIODES
1N5392	BL Galaxy Electrical	获取价格	PLASTIC SILICON RECTIFIER

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