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1N5387B

更新时间： 2024-11-14 22:38:03

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德欧泰克 - DIOTEC		二极管
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2页	95K
描述
Silicon-Power-Z-Diodes (non-planar technology)

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数据手册

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1N5387B 数据手册

1N 5345B … 1N 5388B (5 W)

Silicon-Power-Z-Diodes

(non-planar technology)

Silizium-Leistungs-Z-Dioden

(flächendiffundierte Dioden)

Maximum power dissipation

Maximale Verlustleistung

5 W

Nominal Z-voltage – Nominale Z-Spannung

8.7…200 V

~ DO-201

Plastic case

Kunststoffgehäuse

Weight approx. – Gewicht ca.

1 g

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

Standard packaging taped in ammo pack

see page 16

Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack

siehe Seite 16

Dimensions / Maße in mm

Standard Zener voltage tolerance is ± 5%. Other voltage tolerances and higher Zener voltages on

request.

Die Toleranz der Zener-Spannung ist in der Standard-Ausführung ± 5%. Andere Toleranzen oder

höhere Arbeitsspannungen auf Anfrage.

Maximum ratings and Characteristics

Grenz- und Kennwerte

Power dissipation

Verlustleistung

T_A= 25ꢀC

P_tot

P_ZSM

T_j

5.0 W ¹)

Non repetitive peak power dissipation, t < 10 ms

Einmalige Impuls-Verlustleistung, t < 10 ms

80 W

Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

– 50…+150ꢀC

T_S– 50…+175ꢀC

Thermal resistance junction to ambient air

R_thA

< 25 K/W ¹)

< 8 K/W

Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft

Thermal resistance junction to lead

R_thL

Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlußdraht

Zener voltages see table on next page

Zener-Spannungen siehe Tabelle auf der nächsten Seite

)

Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case

Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden

Tested with pulses – Gemessen mit Impulsen

230

01.10.2002

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