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1N5283-1E3

更新时间: 2024-11-15 14:39:07
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 二极管
页数 文件大小 规格书
6页 198K
描述
Current Regulator Diode, 0.22mA I(S), 1V V(L), Silicon, DO-7, ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2

1N5283-1E3 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
零件包装代码:DO-7包装说明:O-LALF-W2
针数:2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.70
风险等级:5.08其他特性:METALLURGICALLY BONDED, HIGH SOURCE IMPEDANCE
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:CURRENT REGULATOR DIODE
最小动态阻抗:25000000 ΩJEDEC-95代码:DO-7
JESD-30 代码:O-LALF-W2JESD-609代码:e3
最大限制电压:1 V元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-65 °C封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED最大功率耗散:0.5 W
标称调节电流 (Ireg):0.22 mA最大重复峰值反向电压:100 V
子类别:Current Regulator Diodes表面贴装:NO
技术:FIELD EFFECT端子面层:PURE MATTE TIN
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

1N5283-1E3 数据手册

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