5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | O-PALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | INDUSTRY STANDARD |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | ZENER DIODE |
| JEDEC-95代码： | DO-35 | JESD-30 代码： | O-PALF-W2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性： | UNIDIRECTIONAL |
| 最大功率耗散： | 0.5 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 标称参考电压： | 9.1 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | ZENER | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N5239B-TR | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Zener Diodes |
|
| 1N5239BTRE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 9.1V V(Z), 5%, 0.5W, |
|
| 1N5239BTRLEADFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Zener Diode, 9.1V V(Z), 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, |
|
| 1N5239BTRPBFREE | CENTRAL |
获取价格 |
Zener Diode, |
|
| 1N5239BTR-RECU | CENTRAL |
获取价格 |
Zener Diode, 9.1V V(Z), 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, |
|
| 1N5239BTR-RMCU | CENTRAL |
获取价格 |
Zener Diode, 9.1V V(Z), 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, |
|
| 1N5239BUR | MICROSEMI |
获取价格 |
500 mW GLASS SURFACE MOUNT ZENER DIODES |
|
| 1N5239BUR-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 9.1V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-213AA, HERMETIC SEALED, GLAS |
|
| 1N5239BUR-1E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 9.1V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-213AA, ROHS COMPLIANT, HERME |
|
| 1N5239BUR-1E3TR | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 9.1V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-213AA, HERMETIC SEALED, GLAS |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
