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Datasheet > 二极管 > 齐纳二极管> 1N5226BTR
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1N5226BTR

更新时间： 2024-11-23 13:03:35
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 二极管测试
页数 文件大小 规格书
3页 26K
描述
Zener Diode, 3.3V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, GLASS PACKAGE-2

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1N5226BTR 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Transferred零件包装代码：DO-35
包装说明：O-LALF-W2针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.50风险等级：2.87
Is Samacsys：N外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：ZENER DIODE最大动态阻抗：28 Ω
JEDEC-95代码：DO-35JESD-30 代码：O-LALF-W2
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：200 °C
封装主体材料：GLASS封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性：UNIDIRECTIONAL最大功率耗散：0.5 W
认证状态：Not Qualified标称参考电压：3.3 V
子类别：Voltage Reference Diodes表面贴装：NO
技术：ZENER端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED最大电压容差：5%
工作测试电流：20 mABase Number Matches：1

1N5226BTR 数据手册

 浏览型号1N5226BTR的Datasheet PDF文件第2页浏览型号1N5226BTR的Datasheet PDF文件第3页 
1N5226B - 1N5257B Series Half Watt Zeners  
Tolerance: B = 5%  
Absolute Maximum Ratings*  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Parameter  
Value  
Units  
Storage Temperature Range  
-65 to +200  
+ 200  
°C  
°C  
°C  
Maximum Junction Operating Temperature  
Lead Temperature (1/16” from case for 10 seconds)  
+ 230  
Total Device Dissipation  
Derate above 75°C  
Surge Power**  
500  
4.0  
10  
mW  
mW/°C  
W
*These ratings are limiting values above which the serviceability of the diode may be impaired.  
**Non-recurrent square wave PW= 8.3 ms, TA= 55 degrees C.  
DO-35  
NOTES:  
1) These ratings are based on a maximum junction temperature of 200 degrees C.  
2) These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed  
or low duty cycle operations.  
Electrical Characteristics  
TA = 25°C unless otherwise noted  
VZ  
(V)  
ZZ  
(Ω)  
IZT  
(mA)  
ZZK  
(Ω)  
IZK  
(mA)  
VR  
(V)  
IR  
(µA)  
TC  
(%/°C)  
@
@
@
Device  
3.3  
3.6  
3.9  
4.3  
4.7  
5.1  
5.6  
6.0  
6.2  
6.8  
7.5  
8.2  
8.7  
9.1  
10  
28  
24  
23  
22  
19  
17  
11  
7.0  
7.0  
5.0  
6.0  
8.0  
8.0  
10  
17  
22  
30  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
20  
1,600  
1,700  
1,900  
2,000  
1,900  
1,600  
1,600  
1,600  
1,000  
750  
500  
500  
600  
600  
600  
600  
600  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
2.0  
2.0  
3.0  
3.5  
4.0  
5.0  
6.0  
6.5  
6.5  
7.0  
8.0  
8.4  
9.1  
25  
15  
10  
- 0.07  
- 0.065  
- 0.06  
+/- 0.055  
+/- 0.03  
+/- 0.3  
0.038  
0.038  
0.045  
0.05  
0.058  
0.062  
0.065  
0.068  
0.075  
0.076  
0.077  
1N5226B  
1N5227B  
1N5228B  
1N5229B  
1N5230B  
1N5231B  
1N5232B  
1N5233B  
1N5234B  
1N5235B  
1N5236B  
1N5237B  
1N5238B  
1N5239B  
1N5240B  
1N5241B  
1N5242B  
5.0  
5.0  
5.0  
5.0  
5.0  
5.0  
3.0  
3.0  
3.0  
3.0  
3.0  
3.0  
2.0  
1.0  
11  
12  
Foward Voltage = 1.1 V Maximum @ IF = 200 mA for all 1N5200 series  
VF  
NOTE: National preferred devices in BOLD  
1997 Fairchild Semiconductor Corporation  
1N5200B Rev. A  
123

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1N5226BTR 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
1N5988B_T50R FAIRCHILD

完全替代

 Zener Diode, 3.3V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, GALSS PACKAGE-2
1N5226B FAIRCHILD

完全替代

 Absolute Maximum Ratings

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1N5226BTRE3 MICROSEMI

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 		Zener Diode, 3.3V V(Z), 5%, 0.5W,
1N5226BTRLEADFREE CENTRAL

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 		Zener Diode, 3.3V V(Z), 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35,
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 		Zener Diode, 3.3V V(Z), 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35,
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1N5226BUR DIGITRON

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