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1N4942GP-HE3

更新时间： 2024-11-19 10:25:39
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 二极管
页数 文件大小 规格书
4页 316K
描述
DIODE 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AL, LEAD FREE, PLASTIC, DO-41, 2 PIN, Signal Diode

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1N4942GP-HE3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：DO-41
包装说明：O-PALF-W2针数：2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.36
其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW LEAKAGE CURRENT, HIGH RELIABILITY外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.3 V
JEDEC-95代码：DO-204ALJESD-30 代码：O-PALF-W2
JESD-609代码：e3最大非重复峰值正向电流：25 A
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：1 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：200 V最大反向恢复时间：0.15 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

1N4942GP-HE3 数据手册

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1N4942GP thru 1N4948GP  
Vishay General Semiconductor  
Glass Passivated Junction Fast Switching Rectifier  
Major Ratings and Characteristics  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
trr  
1.0 A  
200 V to 1000 V  
25 A  
®
150 ns, 250 ns, 500 ns  
1.0 µA  
IR  
*
d
VF  
1.3 V  
e
t
n
e
t
Tj max.  
175 °C  
a
P
* Glass-plastic encapsulation  
technique is covered by  
Patent No. 3,996,602,  
DO-204AL (DO-41)  
brazed-lead assembly  
by Patent No. 3,930,306  
Features  
Mechanical Data  
• Superectifier structure for High Reliability  
condition  
Case: DO-204AL, molded epoxy over glass body  
Epoxy meets UL-94V-0 Flammability rating  
• Cavity-free glass-passivated junction  
• Fast switching for high efficiency  
• Low leakage current  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002B and JESD22-B102D  
E3 suffix for commercial grade, HE3 suffix for high  
reliability grade (AEC Q101 qualified)  
• High forward surge capability  
• Meets environmental standard MIL-S-19500  
• Solder Dip 260 °C, 40 seconds  
Polarity: Color band denotes cathode end  
Typical Applications  
For use in fast switching rectification of power supply,  
inverters, converters and freewheeling diodes for  
consumer, automotive and Telecommunication  
Maximum Ratings  
(TA = 25 °C unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol 1N4942GP 1N4944GP 1N4946GP 1N4947GP 1N4948GP  
Unit  
V
Maximum repetitive peak reverse voltage  
VRRM  
VRMS  
VDC  
200  
140  
200  
400  
280  
400  
600  
420  
600  
1.0  
800  
560  
800  
1000  
700  
Maximum RMS voltage  
V
V
A
Maximum DC blocking voltage  
1000  
Maximum average forward rectified current  
0.375" (9.5 mm) lead length at TA = 55 °C  
IF(AV)  
Peak forward surge current 8.3 ms single  
half sine-wave superimposed on rated load  
IFSM  
25  
A
Operating junction and storage  
temperature range  
TJ, TSTG  
- 65 to + 175  
°C  
Document Number 88511  
19-Sep-05  
www.vishay.com  
1
1234

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1N4942GP-HE3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
UFG120 MICROSEMI

功能相似

 ULTRA FAST RECOVERY RECTIFIER
1N4942 LRC

功能相似

 FAST GPP DIODES

与1N4942GP-HE3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1N4942GPT CHENMKO

获取价格

 		FAST RECOVERY RECTIFIER VOLTAGE RANGE 200 - 1000 Volts CURRENT 1.0 Ampere
1N4942GP-TP MCC

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-41, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKA
1N4942G-T RECTRON

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-41, PLASTIC PACKAGE-2
1N4942GU01 RECTRON

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-41,
1N4942H01 RECTRON

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 50V V(RRM), Silicon, DO-41
1N4942H03-2 RECTRON

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 50V V(RRM), Silicon, DO-41
1N4942H03-4 RECTRON

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 50V V(RRM), Silicon, DO-41
1N4942H04 RECTRON

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 50V V(RRM), Silicon, DO-41
1N4942H06 RECTRON

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 50V V(RRM), Silicon, DO-41
1N4942H09 RECTRON

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 50V V(RRM), Silicon, DO-41

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