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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | O-LALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.70 | 风险等级： | 5.19 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | METALLURGICALLY BONDED |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JEDEC-95代码： | DO-35 | JESD-30 代码： | O-LALF-W2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最大输出电流： | 0.1 A |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 最大功率耗散： | 0.5 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 200 V | 最大反向恢复时间： | 0.05 µs |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| JANTXV1N4938-1 | MICROSEMI |
功能相似  |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 200V V(RRM), Silicon, |
|
| JAN1N4938-1 | MICROSEMI |
功能相似 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 200V V(RRM), Silicon, |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N4938.TR | TI |
获取价格 |
DIODE 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, Signal Diode |
|
| 1N4938-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
SWITCHING DIODE |
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| 1N4938-1E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 200V V(RRM), Silicon, |
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| 1N4938-1R | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 200V V(RRM), Silicon, |
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| 1N4938-1X | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 200V V(RRM), Silicon, |
|
| 1N4938R | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 200V V(RRM), Silicon, |
|
| 1N4938UR-1 | MICROSEMI |
获取价格 |
SWITCHING DIODE |
|
| 1N4938X | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 200V V(RRM), Silicon, |
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| 1N4942 | PFS |
获取价格 |
FAST RECOVER RECTIFIER |
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| 1N4942 | NJSEMI |
获取价格 |
DO-41 |
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