1N4935L

更新时间： 2024-09-25 22:37:59

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美台 - DIODES		整流二极管快速恢复二极管
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2页	62K
描述
1.0A FAST RECOVERY RECTIFIER

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1N4935L 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	O-PALF-W2
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.59	其他特性：	FAST SWITCH
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.2 V	JESD-30 代码：	O-PALF-W2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
最大非重复峰值正向电流：	30 A	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-65 °C	最大输出电流：	1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	200 V
最大反向恢复时间：	0.2 µs	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	Base Number Matches：	1

1N4935L 数据手册

1N4933/L - 1N4937/L

1.0A FAST RECOVERY RECTIFIER

Features

Diffused Junction

Fast Switching for High Efficiency

High Current Capability and Low Forward

Voltage Drop

Surge Overload Rating to 30A Peak

Low Reverse Leakage Current

Plastic Material: UL Flammability

Classification Rating 94V-0

DO-41 Plastic

A-405

Mechanical Data

Dim

Min

25.40

4.06

0.71

2.00

Max

Min

Max

¾¾

5.20

0.64

2.70

Case: Molded Plastic

Terminals: Plated Leads Solderable per

MIL-STD-202, Method 208

25.40

4.10

0.53

2.00

5.21

0.864

2.72

Polarity: Cathode Band

Weight: DO-41 0.35 grams (approx)

A-405 0.20 grams (approx)

Mounting Position: Any

All Dimensions in mm

Marking: Type Number

“L” Suffix Designates A-405 Package

No Suffix Designates DO-41 Package

@ T_A= 25°C unless otherwise specified

Maximum Ratings and Electrical Characteristics

Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%.

Characteristic

Symbol 1N4933/L 1N4934/L 1N4935/L 1N4936/L 1N4937/L Unit

V_RRM

V_RWM

Peak Repetitive Reverse Voltage

Working Peak Reverse Voltage

DC Blocking Voltage

100

200

400

280

600

420

V_R

V_R(RMS)

RMS Reverse Voltage

140

1.0

Average Rectified Output Current

(Note 1)

I_O

@ T_A= 75°C

Non-Repetitive Peak Forward Surge Current 8.3ms

single half sine-wave superimposed on rated load

(JEDEC Method)

I_FSM

Forward Voltage Drop

@ I_F= 1.0A

V_FM

I_RM

1.2

Peak Reverse Current

at Rated DC Blocking Voltage

@T_A25°C

5.0

100

@ T_A= 100°C

t_rr

C_j

Reverse Recovery Time (Note 3)

200

Typical Junction Capacitance (Note 2)

R_qJA

T_j,T_STG

Typical Thermal Resistance Junction to Ambient

Operating and Storage Temperature Range

100

K/W

°C

-65 to +150

Notes:

1.Leads maintained at ambient temperature at a distance of 9.5mm from the case.

2. Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.

3. Measured with I_F= 0.5A, I_R= 1A, I_rr= 0.25A.

DS26002 Rev. E-2

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1N4933/L-1N4937/L

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
1N4935-LF	WTE	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-41, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKA
1N4935-LFR	FRONTIER	获取价格	1A FAST RECOVERY PLASTIC RECTIFIER
1N4935L-T	DIODES	获取价格	1.0A FAST RECOVERY RECTIFIER
1N4935M01	RECTRON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-41,
1N4935M02	RECTRON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-41,
1N4935M03	RECTRON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-41,
1N4935M04	RECTRON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-41,
1N4935M05	RECTRON	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-41,
1N4935R	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, Silicon,
1N4935RL	ONSEMI	获取价格	Axial−Lead Fast−Recovery Rectifiers

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