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1N4931A-PBF PDF预览

1N4931A-PBF

更新时间： 2024-11-17 05:01:47
品牌 Logo 应用领域
DIGITRON 测试二极管
页数 文件大小 规格书
3页 1041K
描述
Zener Diode

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1N4931A-PBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：O-LALF-W2Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.74外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：ZENER DIODE最大动态阻抗：36 Ω
JEDEC-95代码：DO-35JESD-30 代码：O-LALF-W2
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-65 °C
封装主体材料：GLASS封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性：UNIDIRECTIONAL最大功率耗散：0.5 W
标称参考电压：19.2 V表面贴装：NO
技术：ZENER端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
电压温度Coeff-Max：0.384 mV/ °C最大电压容差：5%
工作测试电流：7.5 mABase Number Matches：1

1N4931A-PBF 数据手册

 浏览型号1N4931A-PBF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号1N4931A-PBF的Datasheet PDF文件第3页 
1N4916-1N4932A  
19.2V LOW NOISE TEMPERATURE  
COMPENSATED ZENER REFERENCE DIODE  
High-reliability discrete products  
and engineering services since 1977  
FEATURES  
Available as “HR” (high reliability) screened per MIL-PRF-19500, JANTX level. Add “HR” suffix to base part number.  
Available as non-RoHS (Sn/Pb plating), standard, and as RoHS by adding “-PBF” suffix.  
MAXIMUM RATINGS  
Characteristics  
Values  
Junction and storage temperatures  
DC power dissipation  
-65 to +175°C  
500mW @ 50°C  
4 mW/°C above 50°C  
Power derating  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise specified)  
Maximum  
voltage change  
with temperature  
Effective  
temperature  
coefficient  
Maximum  
dynamic  
impedance  
Maximum noise  
density  
Test current  
Temperature  
range  
Part number  
IZT  
Note 1  
mA  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
2.0  
2.0  
2.0  
2.0  
2.0  
2.0  
4.0  
4.0  
4.0  
4.0  
4.0  
4.0  
4.0  
ΔVZT  
Note 2  
Volts  
0.144  
0.298  
0.072  
0.149  
0.029  
0.060  
0.144  
0.298  
0.072  
0.149  
0.029  
0.060  
0.144  
0.298  
0.072  
0.149  
0.029  
0.060  
0.144  
0.298  
0.072  
0.149  
0.029  
0.060  
0.014  
αVZ  
Note 3  
±%/°C  
0.01  
ZZT  
Note 4  
Ohms  
600  
600  
600  
600  
600  
600  
300  
300  
300  
300  
300  
300  
150  
150  
150  
150  
150  
150  
75  
ND  
°C  
µV/√Hz  
1.0  
1N4916  
25 to +100  
-55 to +100  
25 to +100  
-55 to +100  
25 to +100  
-55 to +100  
25 to +100  
-55 to +100  
25 to +100  
-55 to +100  
25 to +100  
-55 to +100  
25 to +100  
-55 to +100  
25 to +100  
-55 to +100  
25 to +100  
-55 to +100  
25 to +100  
-55 to +100  
25 to +100  
-55 to +100  
25 to +100  
-55 to +100  
25 to +100  
1N4916A  
1N4917  
1N4917A  
1N4918  
1N4918A  
1N4919  
1N4919A  
1N4920  
1N4920A  
1N4921  
1N4921A  
1N4922  
1N4922A  
1N4923  
1N4923A  
1N4924  
1N4924A  
1N4925  
1N4925A  
1N4926  
1N4926A  
1N4927  
1N4927A  
1N4928  
0.01  
1.0  
0.005  
0.005  
0.002  
0.002  
0.01  
1.0  
1.0  
1.0  
1.0  
0.5  
0.01  
0.5  
0.005  
0.005  
0.002  
0.002  
0.01  
0.5  
0.5  
0.5  
0.5  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.25  
0.22  
0.22  
0.22  
0.22  
0.22  
0.22  
0.22  
0.01  
0.005  
0.005  
0.002  
0.002  
0.01  
0.01  
75  
0.005  
0.005  
0.002  
0.002  
0.001  
75  
75  
75  
75  
75  
Rev. 20150702  
123

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与1N4931A-PBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1N4931E3 MICROSEMI

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 		Zener Diode, 19.2V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, DO-35, HERMETIC SEALED, GLASS PACAKGE-2
1N4931HR DIGITRON

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 		Zener Diode
1N4932 MICROSEMI

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 		19.2 VOLT LOW NOISE TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE DIODES
1N4932 CDI-DIODE

获取价格

 		19.2 VOLT NOMINAL ZENER VOLTAGE + 5%
1N4932 NJSEMI

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 		Diode
1N4932A DIGITRON

获取价格

 		Temperature Compensated Zener Diode; Max Peak Repetitive Reverse Voltage: 18.24; Max TMS B
1N4932A MICROSEMI

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1N4933 TRSYS

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1N4933 WTE

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 		1.0A FAST RECOVERY RECTIFIER

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