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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | O-LALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.56 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | LOW NOISE |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | ZENER DIODE |
| JEDEC-95代码： | DO-35 | JESD-30 代码： | O-LALF-W2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 最大功率耗散： | 0.5 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 标称参考电压： | 19.2 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | ZENER |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 电压温度Coeff-Max： | 0.384 mV/ °C | 最大电压容差： | 5% |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| 1N4929A | MICROSEMI |
完全替代  |
19.2 VOLT LOW NOISE TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE DIODES |
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| 1N4928A | MICROSEMI |
完全替代 |
19.2 VOLT LOW NOISE TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE DIODES |
|
| 1N4917A | MICROSEMI |
完全替代 |
19.2 VOLT LOW NOISE TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE DIODES |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N4918AE3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 19.2V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, DO-35, HERMETIC SEALED, GLASS PACAKGE-2 |
|
| 1N4918E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 19.2V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, DO-35, HERMETIC SEALED, GLASS PACAKGE-2 |
|
| 1N4918HR | DIGITRON |
获取价格 |
Zener Diode |
|
| 1N4918-PBF | DIGITRON |
获取价格 |
Zener Diode |
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| 1N4919 | NJSEMI |
获取价格 |
Diode |
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| 1N4919 | DIGITRON |
获取价格 |
Temperature Compensated Zener Diode; Max Peak Repetitive Reverse Voltage: 18.24; Max TMS B |
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| 1N4919 | MICROSEMI |
获取价格 |
19.2 VOLT LOW NOISE TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE DIODES |
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| 1N4919 | CDI-DIODE |
获取价格 |
19.2 VOLT NOMINAL ZENER VOLTAGE + 5% |
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| 1N4919A | MICROSEMI |
获取价格 |
19.2 VOLT LOW NOISE TEMPERATURE COMPENSATED ZENER REFERENCE DIODES |
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| 1N4919A | CDI-DIODE |
获取价格 |
19.2 VOLT NOMINAL ZENER VOLTAGE + 5% |
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