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1N4749

更新时间: 2024-01-08 16:48:33
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星合电子 - GXELECTRONICS 二极管测试
页数 文件大小 规格书
5页 1507K
描述
Small current low zener impedance

1N4749 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DO-213AB包装说明:HERMETIC SEALED, GLASS, MELF-2
针数:2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.14Is Samacsys:N
其他特性:HIGH RELIABILITY外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODE最大动态阻抗:25 Ω
JEDEC-95代码:DO-213ABJESD-30 代码:O-LELF-R2
JESD-609代码:e0湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:1 W认证状态:Not Qualified
标称参考电压:24 V子类别:Voltage Reference Diodes
表面贴装:YES技术:ZENER
端子面层:TIN LEAD端子形式:WRAP AROUND
端子位置:END处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
最大电压容差:10%工作测试电流:10.5 mA
Base Number Matches:1

1N4749 数据手册

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星合 子  
XINGHE ELECTRONICS  
1N4727  
THRU 1N4764  
特性:  
◆ 小电流下的齐纳阻抗低  
◆ 高可靠性  
◆ 耐焊接250/ 10S,  
机械性能:  
◆ 封  
◆端  
: 玻璃封装  
子:电镀可焊性符MIL-STD-202E, 208C  
性:色环表示阴极  
◆ 极  
◆ 安装位置:任意  
最大额定值及特性  
( 测量环境温25℃,除非另有规定 ).  
参 数 名 称  
单 位  
符 号  
数 值  
IZ MAX  
Pt  
见表  
1.0  
mA  
W
齐纳电流  
耗散功率@TL=75( 1 )  
最大正向压降@IF=200mA  
热阻抗 ( 结至周围环境 ,1)  
使用及储存温度范围  
VF  
1.5  
V
Rθ(ja)  
TJ,TSTG  
32  
/W  
-55+200  
1
GAOMI XINGHE ELECTRONICSCO.,LTD.  
WWW.SDDZG.COM  
TEL:0536-2210359  
QQ:464768017  

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