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1N4729

更新时间: 2024-11-15 22:52:11
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2页 88K
描述
SILICON PLANAR POWER ZENER DIODES

1N4729 技术参数

生命周期:Active包装说明:O-XALF-W2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.06
Is Samacsys:N外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODE最大动态阻抗:10 Ω
JEDEC-95代码:DO-41JESD-30 代码:O-XALF-W2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:200 °C封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:1 W
认证状态:Not Qualified标称参考电压:3.6 V
子类别:Voltage Reference Diodes表面贴装:NO
技术:ZENER端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL最大电压容差:10%
工作测试电流:69 mABase Number Matches:1

1N4729 数据手册

 浏览型号1N4729的Datasheet PDF文件第2页 

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