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1N4586GP/64

更新时间： 2024-11-15 20:09:27
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 二极管
页数 文件大小 规格书
4页 327K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-204AC, PLASTIC, DO-15, 2 PIN

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1N4586GP/64 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DO-15包装说明：O-PALF-W2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.32Is Samacsys：N
其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW LEAKAGE CURRENT外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码：DO-204AC
JESD-30 代码：O-PALF-W2JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：1 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：1000 V最大反向恢复时间：2 µs
表面贴装：NO端子面层：TIN LEAD
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

1N4586GP/64 数据手册

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1N4383GP thru 1N4385GP  
1N4585GP & 1N4586GP  
Vishay General Semiconductor  
Glass Passivated Junction Rectifier  
®
Major Ratings and Characteristics  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
IR  
1.0 A  
200 V to 1000 V  
50 A  
5.0 µA  
*
d
e
t
VF  
1.0 V  
n
e
t
a
Tj max.  
175 °C  
P
DO-204AC (DO-15)  
* Glass-plastic encapsulation  
technique is covered by  
Patent No. 3,996,602, and  
brazed-lead assembly  
by Patent No. 3,930,306  
Features  
Mechanical Data  
• Superectifier structure for High Reliability  
application  
Case: DO-204AC, molded epoxy over glass body  
Epoxy meets UL-94V-0 Flammability rating  
• Cavity-free glass-passivated junction  
• Low forward voltage drop  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002B and JESD22-B102D  
E3 suffix for commercial grade, HE3 suffix for high  
reliability grade (AEC Q101 qualified)  
• Low leakage current  
• High forward surge capability  
• Meets environmental standard MIL-S-19500  
• Solder Dip 260 °C, 40 seconds  
Polarity: Color band denotes cathode end  
Typical Applications  
For use in general purpose rectification of power sup-  
plies, inverters, converters and freewheeling diodes  
application  
Maximum Ratings  
(TA = 25 °C unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol 1N4383GP 1N4384GP 1N4385GP 1N4585GP 1N4586GP Unit  
* Maximum repetitive peak reverse voltage  
VRRM  
VRMS  
VDC  
200  
140  
200  
400  
280  
400  
600  
420  
600  
1.0  
800  
560  
800  
1000  
700  
V
V
V
A
* Maximum RMS voltage  
* Maximum DC blocking voltage  
1000  
* Maximum average forward rectified current 0.375"  
(9.5 mm) lead length at TA = 100 °C  
IF(AV)  
* Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-  
wave superimposed on rated load  
IFSM  
50  
A
Maximum full load reverse current, full cycle average IR(AV)  
0.375"(9.5 mm) lead length at TA = 100 °C  
275  
250  
225  
200  
200  
µA  
* Operating junction and storage temperature range TJ, TSTG  
- 65 to + 175  
°C  
Document Number 88507  
14-Oct-05  
www.vishay.com  
1
1234

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与1N4586GP/64相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1N4586GP/64-E3 VISHAY

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 		DIODE 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AC, PLASTIC, DO-15, 2 PIN, Signal Diode
1N4586GP/65 VISHAY

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-204AC, PLASTIC, DO-15, 2 PIN
1N4586GP/66 VISHAY

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-204AC, PLASTIC, DO-15, 2 PIN
1N4586GP/68 VISHAY

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-204AC, PLASTIC, DO-15, 2 PIN
1N4586GP/70 VISHAY

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-204AC, PLASTIC, DO-15, 2 PIN
1N4586GP/71 VISHAY

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-204AC, PLASTIC, DO-15, 2 PIN
1N4586GP/71-E3 VISHAY

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 		DIODE 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AC, PLASTIC, DO-15, 2 PIN, Signal Diode
1N4586GP/72 VISHAY

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-204AC, PLASTIC, DO-15, 2 PIN
1N4586GP/72-E3 VISHAY

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 		DIODE 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-204AC, PLASTIC, DO-15, 2 PIN, Signal Diode
1N4586GP/73 VISHAY

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-204AC, PLASTIC, DO-15, 2 PIN

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