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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.15 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | TEMPERATURE COMPENSATED |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | ZENER DIODE |
| 最大动态阻抗： | 50 Ω | JESD-30 代码： | O-LALF-W2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 最大功率耗散： | 0.4 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 标称参考电压： | 6.4 V |
| 子类别： | Voltage Reference Diodes | 表面贴装： | NO |
| 技术： | ZENER | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 电压温度Coeff-Max： | 0.32 mV/ °C |
| 最大电压容差： | 5% | 工作测试电流： | 2 mA |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N4576-1 | MICROSEMI |
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6.4 Volt Temperature Compensated Zener Reference Diodes |
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| 1N4576-1-1 | MICROSEMI |
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6.4 Volt Temperature Compensated Zener Reference Diodes |
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| 1N4576-1-1PCTTR | MICROSEMI |
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Zener Diode, |
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| 1N4576-1-2 | MICROSEMI |
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6.4 Volt Temperature Compensated Zener Reference Diodes |
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| 1N4576-1-3 | MICROSEMI |
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6.4 Volt Temperature Compensated Zener Reference Diodes |
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| 1N4576-1-3PCT | MICROSEMI |
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暂无描述 |
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| 1N4576-1-3PCTTR | MICROSEMI |
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Zener Diode, |
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| 1N4576-1E3 | MICROSEMI |
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Zener Diode, 6.4V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, DO-204AH, HERMETIC SEALED, GLASS, DO-35, 2 PIN |
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| 1N4576-1PCT | MICROSEMI |
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Zener Diode, |
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| 1N4576-1PCTTR | MICROSEMI |
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Zener Diode, |
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