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1N4371DUR-1E3

更新时间: 2024-11-29 14:34:19
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美高森美 - MICROSEMI 测试二极管
页数 文件大小 规格书
6页 512K
描述
Zener Diode, 2.7V V(Z), 1%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-213AA, HERMETIC SEALED, GLASS, MELF-2

1N4371DUR-1E3 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:O-LELF-R2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.19其他特性:METALLURGICALLY BONDED
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
最大动态阻抗:30 ΩJEDEC-95代码:DO-213AA
JESD-30 代码:O-LELF-R2元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.5 W标称参考电压:2.7 V
子类别:Voltage Reference Diodes表面贴装:YES
技术:ZENER端子形式:WRAP AROUND
端子位置:END最大电压容差:1%
工作测试电流:20 mABase Number Matches:1

1N4371DUR-1E3 数据手册

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