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1N434

更新时间: 2024-01-25 04:39:24
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 二极管
页数 文件大小 规格书
6页 267K
描述
silicon diode

1N434 技术参数

生命周期:Contact ManufacturerReach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.70
风险等级:5.76配置:SINGLE
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1 V
最大非重复峰值正向电流:0.4 A元件数量:1
最高工作温度:150 °C最大输出电流:0.045 A
最大重复峰值反向电压:180 V子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:NOBase Number Matches:1

1N434 数据手册

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