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1N433B

更新时间: 2024-02-01 13:51:49
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其他 - ETC 二极管
页数 文件大小 规格书
6页 267K
描述
silicon diode

1N433B 技术参数

生命周期:Contact ManufacturerReach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.70
风险等级:5.76配置:SINGLE
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1 V
元件数量:1最高工作温度:150 °C
最大输出电流:0.06 A最大重复峰值反向电压:145 V
最大反向恢复时间:0.003 µs子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:NOBase Number Matches:1

1N433B 数据手册

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