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1N4306

更新时间: 2024-09-28 20:21:15
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美国国家半导体 - NSC 测试
页数 文件大小 规格书
1页 48K
描述
ARRAY OF INDEPENDENT DIODES,BR-2W

1N4306 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.92
Is Samacsys:N最大正向电压 (VF):0.75 V
JESD-609代码:e0最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-65 °C最大功率耗散:0.25 W
最大重复峰值反向电压:50 V最大反向电流:50 µA
最大反向恢复时间:0.002 µs反向测试电压:50 V
子类别:Other Diodes表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)Base Number Matches:1

1N4306 数据手册

  
This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer  

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