1N4248X

更新时间： 2024-01-23 19:33:01

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美高森美 - MICROSEMI		整流二极管
页数	文件大小	规格书
2页	43K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, Silicon

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1N4248X 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	O-XALF-W2
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.18	Is Samacsys：	N
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	O-XALF-W2	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	175 °C
最低工作温度：	-65 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
Base Number Matches：	1

1N4248X 数据手册

1N4245

1N4246

1N4247

1N4248

1N4249

JAN

JANTX

JANTXV

SENSITRON

SEMICONDUCTOR

TECHNICAL DATA

DATA SHEET 129, REV. A

HERMETIC AXIAL LEAD RECTIFIER

DESCRIPTION: A 200/400/600/800/1000 VOLT, 1.5 AMP, 5000 NANOSECOND RECTIFIER.

MAX. RATINGS / ELECTRICAL CHARACTERISTICS All ratings are at T_A= 25^oC unless otherwise specified.

RATING

CONDITIONS

MIN

TYP

MAX

UNIT

Peak Inverse Voltage

Vdc

(PIV)

200

400

600

800

1000

1N4245

1N4246

1N4247

1N4248

1N4249

Average DC Output

Current (I_o)

T_C= 55 ^oC

T_C= 100 ^oC

1.5

1.0

Amps

Peak Single Cycle Surge

t_p= 8.3 ms Single Half

Cycle Sine Wave,

Superimposed On

Rated Load

Amps(pk)

Current (I_fsm

)

Operating and Storage

Temp. (T_op& T_stg)

-65

+175

1.3

°C

Maximum Forward

Voltage (V_f)

Volts

I_f= 3.0A (300 µsec

pulse, duty cycle < 2%)

µAmps

Maximum Instantaneous

Reverse Current At Rated

(PIV)

1.0

T_A= 25 °C

T_A= 100 °C

Reverse Recovery Time

(t_rr)

I_f= 0.5A, I_r= 1.0A, I_rr=

0.25A

5000

nsec

Thermal Resistance (R_θJL)

°C/W

MECHANICAL DIMENSIONS: In Inches / mm

0.033 (.84

0.027 .69)

.250 (6.35

.140 3.56)

1.50 (38.1

1.00 25.4)

.150 (3.81

.065 1.65)

PKG. 103

Note: The cathode side is marked with a dark colored band on the diode body.

• 221 WEST INDUSTRY COURT • DEER PARK, NY 11729-4681 • PHONE (631) 586-7600 • FAX (631) 242-9798 •

• World Wide Web - http://www.sensitron.com • E-mail Address - sales@sensitron.com •

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