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1N4247

更新时间： 2024-01-08 10:38:31

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CENTRAL		二极管
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2页	405K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 600V V(RRM), Silicon, GPR-1A, 2 PIN

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1N4247 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	O-LALF-W2
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.11	Is Samacsys：	N
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	O-LALF-W2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
最大输出电流：	1 A	封装主体材料：	GLASS
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
认证状态：	Not Qualified	最大反向恢复时间：	5 µs
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
Base Number Matches：	1

1N4247 数据手册

1N4245 1N4248

1N4246 1N4249

1N4247

www.centralsemi.com

GLASS PASSIVATED

SILICON RECTIFIERS

1.0 AMP, 200 THRU 1000 VOLT

DESCRIPTION:

The CENTRAL SEMICONDUCTOR 1N4245 series

types are silicon rectifiers mounted in a hermetically

sealed, glass passivated package for general purpose

applications where high reliability is desired.

MARKING: FULL PART NUMBER

GPR-1A CASE

MAXIMUM RATINGS: (T =25°C unless otherwise noted)

SYMBOL 1N4245 1N4246 1N4247 1N4248 1N4249 UNITS

Peak Repetitive Reverse Voltage

DC Blocking Voltage

200

140

400

280

600

800

560

1000

700

RRM

600

RMS Reverse Voltage

420

R(RMS)

Average Forward Current (T =55°C)

1.0

Peak Forward Surge Current, tp=8.3ms

FSM

Operating and Storage Junction Temperature T , T

-65 to +200

°C

stg

ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)

SYMBOL

TEST CONDITIONS

TYP

MAX

UNITS

V =Rated V

1.0

μA

RRM

V =Rated V

, T =125°C

1.2

5.0

I =1.0A

I =0.5A, I =1.0A, I =0.25A

2.0

μs

R1 (28-February 2013)

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