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1N4248

更新时间: 2024-11-28 22:34:55
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美高森美 - MICROSEMI 整流二极管军事
页数 文件大小 规格书
3页 52K
描述
MILITARY RECTIFIERS

1N4248 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active包装说明:HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2
针数:2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.16Is Samacsys:N
其他特性:HIGH RELIABILITY外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:O-LALF-W2
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-65 °C最大输出电流:1 A
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压:800 V最大反向恢复时间:5 µs
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

1N4248 数据手册

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1N4248 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
1N4005 TAITRON

功能相似

GENERAL PURPOSE SILICON RECTIFIER

与1N4248相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1N4248/4 VISHAY

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1N4248BK CENTRAL

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1N4248GP/100 VISHAY

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1N4248GP/62 VISHAY

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