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| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 1页 | 45K |  |
| 描述 | ||
| 130V, 1W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41 | ||
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | O-LALF-W2 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.50 |
| 风险等级： | 5.53 | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | ZENER DIODE | 最大动态阻抗： | 700 Ω |
| JEDEC-95代码： | DO-41 | JESD-30 代码： | O-LALF-W2 |
| JESD-609代码： | e0 | 膝阻抗最大值： | 5000 Ω |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性： | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散： | 1 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 标称参考电压： | 130 V |
| 最大反向电流： | 5 µA | 子类别： | Voltage Reference Diodes |
| 表面贴装： | NO | 技术： | ZENER |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 电压温度Coeff-Max： | 130 mV/ °C | 最大电压容差： | 5% |
| 工作测试电流： | 1.9 mA | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N4189BTR | CENTRAL |
获取价格 |
Zener Diode, 130V V(Z), 1W, Silicon, Unidirectional, DO-41, |
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| 1N4189BTR-RPCU | CENTRAL |
获取价格 |
Zener Diode, 130V V(Z), 1W, Silicon, Unidirectional, DO-41, 2 PIN |
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| 1N419 | ETC |
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GOLD BONDED DIODES(Low forward voltage, low power consumption) |
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| 1N4190 | NJSEMI |
获取价格 |
GOLD BONDED GERMANIUM DIODES |
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| 1N4190A | NJSEMI |
获取价格 |
REF/REG DIODE, P(D) = 1W |
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| 1N4190B | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
150V, 1W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-41 |
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| 1N4190B | CENTRAL |
获取价格 |
Zener Diode, 150V V(Z), 5%, 1W, Silicon, Unidirectional, DO-41, |
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| 1N4190B | NJSEMI |
获取价格 |
ZENER DIODES DOUBLE SLUG TYPE CONSTRUCTION |
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| 1N4190BBK | CENTRAL |
获取价格 |
Zener Diode, 150V V(Z), 1W, Silicon, Unidirectional, DO-41, |
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| 1N4190BTR | CENTRAL |
获取价格 |
Zener Diode, 150V V(Z), 1W, Silicon, Unidirectional, DO-41, |
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