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1N4006-TP-HF

更新时间: 2024-01-02 04:18:04
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 二极管
页数 文件大小 规格书
4页 160K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 800V V(RRM), Silicon, DO-41,

1N4006-TP-HF 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.19外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1 V
JEDEC-95代码:DO-41JESD-30 代码:O-PALF-W2
湿度敏感等级:1最大非重复峰值正向电流:30 A
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-55 °C
最大输出电流:1 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):260最大重复峰值反向电压:800 V
最大反向恢复时间:2 µs子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:NO端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:10
Base Number Matches:1

1N4006-TP-HF 数据手册

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1N4001 thru 1N4007  
M C C  
TM  
Figure 4  
Typical Reverse Characteristics  
Micro Commercial Components  
Figure 5  
100  
60  
Peak Forward Surge Current  
60  
50  
40  
20  
40  
30  
20  
10  
6
Amps  
4
TA=100°C  
10  
0
2
1
80  
1
60  
100  
4
6
10 20  
40  
8
2
µAmps  
.6  
.4  
Cycles  
Peak Forward Surge Current - Amperesversus  
Number Of Cycles At 60Hz - Cycles  
.2  
TA=25°C  
.1  
.06  
.04  
.02  
.01  
20  
40  
60  
80  
140  
100  
120  
Volts  
Instantaneous Reverse Leakage Current - MicroAmperesversus  
Percent Of Rated Peak Reverse Voltage - Volts  
www.mccsemi.com  
3 of 4  
Revision: F  
2015/01/01  

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