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1N4002-TB

更新时间: 2024-01-26 23:10:36
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WTE 整流二极管
页数 文件大小 规格书
3页 54K
描述
1.0A SILICON RECTIFIER

1N4002-TB 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DO-41包装说明:O-XALF-W2
针数:2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.1外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码:DO-41
JESD-30 代码:O-XALF-W2元件数量:1
端子数量:2最大输出电流:1 A
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:100 V
表面贴装:NO端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

1N4002-TB 数据手册

 浏览型号1N4002-TB的Datasheet PDF文件第1页浏览型号1N4002-TB的Datasheet PDF文件第3页 
1.0  
0.8  
10  
1.0  
0.6  
0.4  
0.2  
0
0.1  
Tj = 25ºC  
PULSE WIDTH = 300µs  
2% DUTY CYCLE  
0.01  
0.6  
0.8  
1.0  
1.2  
1.4  
1.6  
40  
60  
80  
100 120 140 160 180  
TA, AMBIENT TEMPERATURE (ºC)  
VF, INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (V)  
Fig. 2 Typical Forward Characteristics  
Fig. 1 Forward Current Derating Curve  
50  
40  
30  
100  
Tj = 25ºC  
f = 1MHz  
10  
20  
10  
0
8.3ms Single half sine-wave  
JEDEC Method  
1.0  
1.0  
10  
100  
1.0  
10  
100  
VR, REVERSE VOLTAGE (V)  
NUMBER OF CYCLES AT 60 Hz  
Fig. 3 Max Non-Repetitive Peak Fwd Surge Current  
Fig. 4 Typical Junction Capacitance  
1N4001 – 1N4007  
2 of 3  
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