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1N4001_09

更新时间： 2024-11-21 07:20:59

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德欧泰克 - DIOTEC		整流二极管
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描述
Silicon Rectifier Diodes – Silizium-Gleichrichterdioden

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1N4001_09 数据手册

1N4001 ... 1N4007, 1N4007-13, EM513, EM516, EM518

1N4001 ... 1N4007, 1N4007-13,

EM513, EM516, EM518

Silicon Rectifier Diodes – Silizium-Gleichrichterdioden

Version 2009-10-16

Nominal current

Nennstrom

1 A

Repetitive peak reverse voltage

Periodische Spitzensperrspannung

50...2000 V

Ø 2.6^-0.1

Plastic case

DO-41

Kunststoffgehäuse

DO-204AL

Weight approx.

Gewicht ca.

0.4 g

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

Ø 0.77^±0.07

Standard packaging taped in ammo pack

Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack

Dimensions - Maße [mm]

Maximum ratings

Grenzwerte

Type

Typ

Repetitive peak reverse voltage

Periodische Spitzensperrspannung

V_RRM[V]

Surge peak reverse voltage

Stoßspitzensperrspannung

V_RSM[V]

1N4001

1N4002

1N4003

1N4004

1N4005

1N4006

1N4007

1N4007-13

EM513

100

200

400

600

800

1000

1300

1600

1800

2000

1000

1300

1600

1800

2000

EM516

EM518

Max. average forward rectified current, R-load

Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last

T_A= 75°C

T_A= 100°C

I_FAV

I_FRM

I_FSM

i²t

1 A ¹)

0.8 A ¹)

10 A ¹)

Repetitive peak forward current

Periodischer Spitzenstrom

f > 15 Hz

T_A= 25°C

Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave

Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle

50/55 A

12.5 A²s

Rating for fusing – Grenzlastintegral, t < 10 ms

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

T_j

T_S

-50...+175°C

Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case

Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden

http://www.diotec.com/

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