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1N3997E3

更新时间： 2024-11-19 19:55:11
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 测试二极管
页数 文件大小 规格书
6页 136K
描述
Zener Diode, 5.6V V(Z), 10%, 10W, Silicon, Unidirectional, DO-203AA, HERMETIC SEALED, GLASS, DO-4, 1 PIN

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1N3997E3 技术参数

生命周期：Active包装说明：O-MUPM-D1
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.50风险等级：5.68
外壳连接：CATHODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：ZENER DIODE
JEDEC-95代码：DO-203AAJESD-30 代码：O-MUPM-D1
元件数量：1端子数量：1
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-65 °C
封装主体材料：METAL封装形状：ROUND
封装形式：POST/STUD MOUNT极性：UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：10 W标称参考电压：5.6 V
表面贴装：NO技术：ZENER
端子形式：SOLDER LUG端子位置：UPPER
最大电压容差：10%工作测试电流：445 mA
Base Number Matches：1

1N3997E3 数据手册

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TECHNICAL DATA SHEET  
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841  
1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803  
Website: http: //www.microsemi.com  
10 WATT ZENER DIODES  
Qualified per MIL-PRF-19500/124  
DEVICES  
LEVELS  
1N2970 thru 1N3015B  
JAN  
and  
JANTX  
JANTXV  
1N3993 thru 1N4000A  
DESCRIPTION  
These high power 10 W Zener diodes represented by the JEDEC registered  
1N2970 thru 1N3015B and 1N3993 thru 1N4000A series provide voltage  
regulation in a selection over a 3.9 V to 200 V broad range of voltages. They may  
be operated up to 10 W with adequate mounting and heat sinking with their low  
thermal resistance. These Zeners are also available in JAN, JANTX, JANTXV  
military qualifications. Microsemi also offers numerous other Zener products to  
meet higher and lower power applications.  
DO-4 (DO-203AA)  
FEATURES  
¾ JEDEC registered 1N2970 thru 1N3015B and 1N3993 thru 1N4000A  
¾ Internal solder bond construction  
¾ Hermetically sealed (welded)  
¾ Zener Voltage 3.9V to 200V.  
¾ Also available in JAN, JANTX, and JANTXV qualifications per MIL-  
PRF-19500/124 by adding the JAN, JANTX, or JANTXV prefixes to part  
numbers for desired level of screening; (e.g. JANTX1N2970B,  
JANTXV1N3996A, etc.  
¾ Standard polarity is anode to case (stud) for 1N2970 thru 1N3015B and  
cathode to case for 1N3993 thru 1N4000A  
¾ Reverse polarity is cathode to case for 1N2970 thru 1N3015B and anode to  
case for 1N3993 thru 1N4000A by designating R suffix, e.g. 1N2970RB,  
1N3993RA, etc.  
¾ Consult factory for surface mount equivalents  
T4-LDS-0075 Rev. 1 (082463)  
Page 1 of 6  
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与1N3997E3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1N3997R MICROSEMI

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 		10 WATT ZENER DIODES
1N3997RA MICROSEMI

获取价格

 		10 WATT ZENER DIODES
1N3997RAE3 MICROSEMI

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 		Zener Diode, 5.6V V(Z), 5%, 10W, Silicon, Unidirectional, DO-203AA, HERMETIC SEALED, METAL
1N3997RB MICROSEMI

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 		10 WATT ZENER DIODES
1N3997RC MICROSEMI

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 		10 WATT ZENER DIODES
1N3997RCE3 MICROSEMI

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 		Zener Diode, 5.6V V(Z), 2%, 10W, Silicon, Unidirectional, DO-203AA, HERMETIC SEALED, METAL
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1N3998 NJSEMI

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 		Diode Zener Single 6.2V 20% 10W 2-Pin DO-4
1N3998 MICROSEMI

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 		Silicon 10 WATT Zener Diodes

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