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1N3965

更新时间: 2024-11-18 21:02:35
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美高森美 - MICROSEMI 二极管
页数 文件大小 规格书
3页 112K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 22A, Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN

1N3965 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:DO-4
包装说明:O-MUPM-D1针数:1
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.76
其他特性:HIGH RELIABILITY应用:POWER
外壳连接:CATHODE配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码:DO-203AAJESD-30 代码:O-MUPM-D1
JESD-609代码:e0最大非重复峰值正向电流:250 A
元件数量:1相数:1
端子数量:1最高工作温度:200 °C
最低工作温度:-65 °C最大输出电流:22 A
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:POST/STUD MOUNT认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子面层:TIN LEAD
端子形式:SOLDER LUG端子位置:UPPER
Base Number Matches:1

1N3965 数据手册

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